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铌酸锂/钽酸锂晶体及薄膜等离子体去胶系统

铌酸锂/钽酸锂晶体及薄膜等离子体去胶系统

专门针对铌酸锂/钽酸锂晶体设计的温控系统,控制温变速率,采用金属接地及等离子体电中性特性,避免出现晶体放电

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    上海 上海 浦东新区 金港路333号303室
产品特性:立式加工定制:是品牌:PVA TePla
型号:IoN Wave 10E,GIGAFAB M用途:等离子体处理别名:等离子体去胶清洗机

铌酸锂/钽酸锂晶体及薄膜等离子体去胶系统详细介绍

PVA TePla温控等离子体去胶机

--***温控升降速率,避免铌酸锂/钽酸锂晶体热释电


配置:

载片方式:手动/自动

腔体材质:铝合金

载片能力:兼容300MM及以下

温控盘: 50至200°C加热温控载盘

真空测量:MKS防腐蚀电容真空计  

真空连接:高通导管路连接

真空阀门:气动阀门

压力控制:自动压力控制(APC)系统  

气体:标配2路工艺气体,可扩展到4路

全不锈钢管路及不锈钢隔离阀

TePla 等离子体源: 弧形等离子体源,顶部阵列平面微波源

微波发生器:2.45 GHz, 1000W/2000W/4000W

工控机控制(IPC)  

17” 彩色液晶触控屏

以太网连接功能,USB及RS 232接口

QNX实时运行系统,图形化界面,数据实时显示

支持扩展SECS/GEM


应用:

铌酸锂/钽酸锂晶体(高通量光通信器件)

铌酸锂/钽酸锂薄膜(SAW滤波器)

MEMS牺牲层去除

SU-8胶去除

KMPR光刻胶的去除

纳米压印胶去除

大剂量的离子注入光刻胶去除

干法刻蚀(RIE)之后

静电敏感器件(霍尔器件等)

去除底膜

晶圆凸块

Lift-off工艺

湿化学前后处理

衬底及基材(基板、掩模、压模)的清洗

表面活化、改性



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